特許
J-GLOBAL ID：200903078729334892
CMUTデバイス及び製造方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
熊倉 禎男
, 大塚 文昭
, 西島 孝喜
, 須田 洋之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-552342
公開番号（公開出願番号）：特表2007-528153
出願日： 2005年02月07日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】容量型マイクロマシンド超音波トランスデューサ(cMUT)製造方法及びcMUTイメージアレイシステムを提供すること。【解決手段】例示的な実施形態において、プロセス温度は、概ね摂氏300度より低い。cMUT製造方法は、一般に、基板(400)上の付着及びパターン形成材料からなる。例示的な実施形態において、複数の金属層(405、410、415)が基板(400)上に付着及びパターン形成され得る。いくつかの薄膜層(420、435、445)は、複数の金属層(420、435、445)上に付着形成され、追加の金属層(425、430)が、このいくつかの薄膜層(420、435、445)内に付着形成される。第2金属層(410)は、空胴(447)形成時、第3金属層(415)をエッチングするために使用されるエッチング液に対して耐性を持つ。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ある処理温度で、表面を有する基板上にcMUTを製造する方法であって、
エッチング液に対する耐性を有する第1導電層を前記基板の表面に近接して形成し、
前記第1導電層の一部に近接する犠牲層を設け、前記cMUTを前記エッチング液でエッチングすることからなり、
前記エッチング液が前記犠牲層の一部をエッチングすることを特徴とする方法。
IPC (5件)：
H04R 31/00
, B81C 1/00
, B81B 7/02
, A61B 8/00
, H04R 19/00
H04R31/00 330
, B81C1/00
, B81B7/02
, A61B8/00
, H04R19/00 330
4C601EE13
, 4C601GB02
, 4C601GB14
, 4C601GB41
, 5D019DD01
, 5D019HH02
