特許

J-GLOBAL ID：200903078733971767

トランジスタの製造方法

発明者： グン・リム
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-044101
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092830
出願日： 1996年02月07日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】 短チャンネル効果及びGIDLを低減するとともに、製造工程を単純化させるLDD構造を有するMOSトランジスタの製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明のトランジスタの製造方法は、ゲート電極の両側にL字状の側壁を形成させて高濃度ソース/ドレイン領域を先に形成させ、その後にL字状のものをI字状にして低濃度領域を形成させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板のフィールド領域にフィールド酸化膜を形成する段階と、活性領域の半導体基板上にゲート絶縁膜及びキャップゲート絶縁膜を備えたゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極の側面にL字形絶縁膜側壁を形成する段階と、前記ゲート電極及びL字形絶縁膜側壁をマスクとして、活性領域の半導体基板に高濃度のソース/ドレイン領域を形成する段階と、前記L字形絶縁膜側壁を一定の厚さにエッチングして、I字形絶縁膜側壁とする段階と、前記I字形絶縁膜側壁及びゲート電極をマスクとして、活性領域の半導体基板に低濃度のソース/ドレイン領域を形成する段階とを有することを特徴とするトランジスタの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 301 G