特許
J-GLOBAL ID：200903078735359945
Si基体の加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-275053
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090242
出願日： 1991年09月27日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】 非多孔質Siを加工し、任意の形状で、任意の大きさで、表面から裏面へ貫通する穴をあける。【構成】 非多孔質Si基体51を部分的に1ケ所以上、表面から裏面まで多孔質化する工程と、非多孔質Si領域51と多孔質Si領域53とが混在する基体を弗酸、あるいは、弗酸にアルコール、過酸化水素水のうち少なくとも1種類を添加した混合液に浸潤することにより、前記多孔質Si領域53のみを選択的にエッチングして除去する工程と、を有する。
請求項（抜粋）：
非多孔質Si基体を部分的に1ケ所以上、表面から裏面まで多孔質化する工程と、非多孔質Si領域と多孔質Si領域とが混在する基体を弗酸、あるいは、弗酸にアルコール、過酸化水素水のうち少なくとも1種類を添加した混合液に浸潤することにより、前記多孔質Si領域のみを選択的にエッチングして除去する工程と、を有することを特徴とするSi基体の加工方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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