特許

J-GLOBAL ID：200903078739042440

電子デバイス製造方法

発明者： スコット アール.サマーフェルト ,  ハワード アール.ベラタン ,  ロバート ツ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-143172
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335682
出願日： 1996年06月05日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【課題】 電子デバイス(10)を製造するための高誘電体材料を処理する方法。【解決手段】 この電子デバイスには、内部電極(24)、高誘電体層(28)、および外側電極(30)が設けられている。この高誘電体層(28)に対して、酸素/オゾン環境の下で紫外線を照射して、不所望な水酸化物および炭化物化合物を除去する。この層(28)に、更に、外側電極(30)の堆積に先立って、高圧の等方性反応イオンエッチング処理を施す。これら層(28)、(30)との間のインターフェイスを、反応性フッ素および低圧プラズマに露出させることによって、この層(28)に関連した正規の電気的特性および漏れ電流を改善する。

請求項（抜粋）：

電子デバイスを製造する方法であって、高誘電率材料の層を基板上に堆積させる工程と;前記高誘電率材料の層に、紫外線を照射する工程とを具備し、該紫外線照射には、オゾンを含む環境の下で、前記高誘電体材料のバンドギャップより大きなエネルギのフォトンが包含されていることを特徴とする電子デバイス製造方法。

IPC (5件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/314 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 21/314 A ,  H01L 27/04 C