特許
J-GLOBAL ID：200903078740351871
絶縁ゲート型半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-026840
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222732
出願日： 1995年02月15日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 インターナルバッファによる局所的な加圧が生じても、半導体素子の特性が劣化したり、半導体素子が破壊したりする虞れの無い絶縁ゲート型半導体装置を提供する。【構成】 一方の主表面に、酸化膜20と多結晶シリコン層21、それに酸化膜22で形成された絶縁ゲート構造を有する半導体基体500をインターナルバッファ200を介して加圧して組み立てた絶縁ゲート型半導体装置において、インターナルバッファ200の周辺部で、主表面に接する部分に、絶縁ゲート構造を持たない領域を残し、この領域により加圧力緩和領域Dを形成させ、インターナルバッファ200の端部に熱膨張率の違いにより発生する曲がりに起因する局所的な加圧力が、加圧力緩和領域Dでの電極31の変形により緩和され、変形量は酸化膜100により限定される。
請求項（抜粋）：
一方の主表面に絶縁ゲート構造を有する半導体基体をインターナルバッファを介して加圧して組み立てた絶縁ゲート型半導体装置において、上記インターナルバッファの周辺部で、上記主表面に接する部分に、上記絶縁ゲート構造を持たない領域を残し、この領域により加圧力緩和領域が形成されるように構成したことを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 652 Q
, H01L 21/52 J
, H01L 29/78 301 X
