特許

J-GLOBAL ID：200903078740877288

多結晶半導体膜の製造方法

発明者： 桑原 隆
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-185661
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051074
出願日： 1994年08月08日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【目的】 結晶品質の向上と結晶化プロセスの時間短縮化を図ることができる多結晶半導体膜の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 非晶質シリコン膜5にパルスレーザビームを照射して非晶質シリコン膜5を溶融・固化させることにより、多結晶シリコン膜5′を製造する方法において、長軸方向には結晶化に必要な一定のエネルギー強度分布を持ち、短軸方向には結晶化に必要な一定のエネルギー強度分布部分及びビーム走査方向に対して先行する領域に前記結晶化に必要なエネルギーよりも小さくて徐々に強度が変化するエネルギー強度分布部分を持つシート状のパルスレーザビーム2′を非晶質シリコン膜5に照射し、少なくとも短軸方向に結晶化する領域が重複し得る送りピッチで走査する。

請求項（抜粋）：

非晶質半導体膜にパルスレーザビームを照射して非晶質半導体膜を溶融・固化させることにより、多結晶半導体膜を製造する方法において、長軸方向には結晶化に必要な一定のエネルギー強度分布を少なくとも中央部に持ち、短軸方向には結晶化に必要な一定のエネルギー強度分布部分及びビーム走査方向に対して先行する領域に前記結晶化に必要なエネルギーよりも小さいエネルギー強度分布部分を持つシート状のパルスレーザビームを非晶質半導体膜に照射し、少なくとも短軸方向に結晶化する領域が重複し得る送りピッチで走査することを特徴とする多結晶半導体膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭64-076715
  
• 特開平4-102311
  
• 特開平2-177422