特許

J-GLOBAL ID：200903078747360965

ウェハ処理装置及びその方法並びにSOIウェハの製造方法

発明者： 坂口 清文
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 大塚 康徳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-021796
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223585
出願日： 1997年02月04日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】ウェハに施す処理を均一化する。【解決手段】溝11aを有する4本のウェハ回転ロッド11によりウェハ40を回転させながら支持する。ウェハ回転ロッド11は、ウェハ処理槽10の外に設けられたモータ19より駆動力を伝達されて回転する。ウェハ処理槽30の下部には超音波層30が配置されており、超音波源31が発生する超音波がウェハ処理槽10に伝達される。ウェハ40は、ウェハ回転ロッド11のみにより支持されているため超音波の伝達効率が良い。

請求項（抜粋）：

ウェハを処理液中に浸漬して処理するウェハ処理装置であって、ウェハの処理槽と、略平行に配された複数の棒状部材によりウェハを回転させながら支持する回転支持機構と、を備えることを特徴とするウェハ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306 ,  H01L 27/12

FI (4件)：

H01L 21/304 341 C ,  H01L 21/304 341 T ,  H01L 27/12 B ,  H01L 21/306 J