特許

J-GLOBAL ID：200903078748939320

珪素組成物、これを用いたパターン形成方法、および電子部品の製造方法

発明者： 可児 利佳子 ,  早瀬 修二 ,  御子柴 智 ,  中野 義彦 ,  佐藤 康彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-063277
公開番号（公開出願番号）：特開平10-251519
出願日： 1997年03月17日
公開日（公表日）： 1998年09月22日
要約：

【要約】【課題】 Tg が高く耐熱性を有する微細なSiO2 パターンを、アルカリ現像によって精度よく形成可能であって、しかもdeepUV領域での透明性に優れた珪素組成物を提供する。【解決手段】 ハイドロジェンシルセスキオキサン構造を有する珪素化合物と、酸により分解し酸を生成し得る化合物と、光の照射により酸を発生する化合物とを含有することを特徴とする珪素組成物である。

請求項（抜粋）：

ハイドロジェンシルセスキオキサン構造を有する珪素化合物と、酸により分解し酸を生成し得る化合物と、光の照射により酸を発生する化合物とを含有することを特徴とする珪素組成物。

IPC (4件)：

C08L 83/05 ,  B05D 7/24 302 ,  C08G 77/12 ,  H01L 21/312

FI (4件)：

C08L 83/05 ,  B05D 7/24 302 Y ,  C08G 77/12 ,  H01L 21/312 B