特許

J-GLOBAL ID：200903078750217006

突入電流防止回路

発明者： 鈴木 晴美
出願人/特許権者： 鈴木 晴美 ,  鈴木 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-343724
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127613
出願日： 1999年10月28日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】 NチャンネルMOSFETを用いて突入電流防止回路を実現する。【解決手段】 直流電源Eの両端子間に電源正端子側よりスイッチSWと負荷回路RLとFETQ1を直列に接続し、SWのRL側とEの負端子間に電源負端子側より、コンデンサCと抵抗器R1とツェナーダイオードZDの並列回路に抵抗器R2を直列に接続する。ZDのアノードは電源負端子側である。Q1のゲートはR1とR2の接続点に接続し、ドレインはRLの別の端子に接続し、ソースは電源負端子に接続する。この回路は、SWのオンによるQ1のゲート・ソース間電圧の上昇に伴いオン抵抗は低くなり、突入電流防止回路になる。

請求項（抜粋）：

直流電源と、負荷回路と、MOSFETを直列に接続した回路において、スイッチオン直後はMOSFETのオン電圧を高くし、スイッチオン設定時間後にMOSFETのオン電圧を低くする、突入電流防止回路。