特許

J-GLOBAL ID：200903078750253002

電子線描画用ステンシルマスク

発明者： 森本 健一
出願人/特許権者： 大日本印刷株式会社
代理人 (1件)： 小西 淳美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-181658
公開番号（公開出願番号）：特開平10-010706
出願日： 1996年06月24日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 シリコン基板に設けられた窓領域に対応する領域のシリコン薄膜の面内応力にバラツキが少ないステンシルマスクを提供する。【解決手段】 電子線をマスクに対応した所定形状に整形し、この電子線をレンズ系により縮小して、ウエハ等の基板上のレジストに一括して直接照射することにより、レジストパターンの潜像を形成する部分一括電子線露光装置に用いられるマスクであって、(100)面を表面に持つシリコン基板からなる支持体の一面上に、二酸化シリコン薄膜からなる中間層を介して、マスク部を形成するシリコン薄膜を固定して設けたもので、シリコン薄膜には、電子線を所定形状に整形するための所定の絵柄に対応した貫通孔を有し、支持体には、シリコン薄膜の貫通孔に対応する領域に電子線を通過させるための貫通孔からなる窓を1個以上設けてある。

請求項（抜粋）：

電子線をマスクに対応した所定形状に整形し、且つ該所定形状に整形された電子線をレンズ系により縮小して、ウエハ等の基板上のレジストに対して、一括して所定領域に電子線を直接照射することにより、該所定領域に所定の絵柄からなるレジストパターンの潜像を形成する部分一括電子線露光装置に用いられるマスクであって、(100)面を表面に持つシリコン基板からなる支持体の一面上に、二酸化シリコン薄膜からなる中間層を介して、マスク部を形成するシリコン薄膜を固定して設けたもので、シリコン薄膜には、電子線を所定形状に整形するための所定の絵柄に対応した貫通孔を有し、シリコン基板からなる支持体には、シリコン薄膜の貫通孔に対応する領域にシリコン薄膜により整形された電子線を通過させるための貫通孔からなる窓を1個以上設けており、且つ、該窓は、オリエンテーションフラットネスに平行な二辺とオリエンテーションフラットネスに直交する2辺とを有するほぼ正八角形の貫通孔であることを特徴とする電子線描画用ステンシルマスク。

IPC (3件)：

G03F 1/16 ,  G03F 1/14 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 1/16 B ,  G03F 1/14 G ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 541 R