特許
J-GLOBAL ID:200903078753864851
トランジスタ素子
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
古谷 聡
, 溝部 孝彦
, 西山 清春
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-365861
公開番号(公開出願番号):特開2005-183984
出願日: 2004年12月17日
公開日(公表日): 2005年07月07日
要約:
【課題】 透明チャンネル薄膜トランジスタ及びp型透明チャンネル薄膜トランジスタの提供を課題とする。【解決手段】 本発明のトランジスタ素子は、実質的に透明なp型のデラフォサイト材料からなるチャンネル(10)と、チャンネル(10)と相接されているソースコンタクト(12)と、チャンネル(10)と相接されているドレインコンタクト(14)と、ゲートコンタクト(16)と、ゲートコンタクト(16)とチャンネル(10)の間のゲート絶縁体(18)とからなることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
実質的に透明なp型のデラフォサイト材料からなるチャンネル(10)と、
前記チャンネル(10)と相接されているソースコンタクト(12)と、
前記チャンネル(10)と相接されているドレインコンタクト(14)と、
ゲートコンタクト(16)と、
前記ゲートコンタクト(16)と前記チャンネル(10)の間のゲート絶縁体(18)と、
からなるトランジスタ素子。
IPC (5件):
H01L29/786
, H01L21/28
, H01L29/417
, H01L29/423
, H01L29/49
FI (7件):
H01L29/78 618B
, H01L21/28 301B
, H01L29/78 613A
, H01L29/78 617M
, H01L29/78 616V
, H01L29/50 M
, H01L29/58 G
Fターム (49件):
4M104AA03
, 4M104AA09
, 4M104BB36
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 5F110AA21
, 5F110AA30
, 5F110BB01
, 5F110BB04
, 5F110BB09
, 5F110CC01
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD12
, 5F110EE02
, 5F110EE04
, 5F110EE07
, 5F110EE08
, 5F110EE30
, 5F110EE42
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110EE45
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF27
, 5F110GG01
, 5F110GG32
, 5F110GG33
, 5F110GG34
, 5F110GG42
, 5F110GG43
, 5F110GG44
, 5F110HK02
, 5F110HK04
, 5F110HK07
, 5F110HK11
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110HK34
, 5F110QQ14
, 5F110QQ16
引用特許: