特許
J-GLOBAL ID:200903078753864851

トランジスタ素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 古谷 聡 ,  溝部 孝彦 ,  西山 清春
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-365861
公開番号(公開出願番号):特開2005-183984
出願日: 2004年12月17日
公開日(公表日): 2005年07月07日
要約:
【課題】 透明チャンネル薄膜トランジスタ及びp型透明チャンネル薄膜トランジスタの提供を課題とする。【解決手段】 本発明のトランジスタ素子は、実質的に透明なp型のデラフォサイト材料からなるチャンネル(10)と、チャンネル(10)と相接されているソースコンタクト(12)と、チャンネル(10)と相接されているドレインコンタクト(14)と、ゲートコンタクト(16)と、ゲートコンタクト(16)とチャンネル(10)の間のゲート絶縁体(18)とからなることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
実質的に透明なp型のデラフォサイト材料からなるチャンネル(10)と、 前記チャンネル(10)と相接されているソースコンタクト(12)と、 前記チャンネル(10)と相接されているドレインコンタクト(14)と、 ゲートコンタクト(16)と、 前記ゲートコンタクト(16)と前記チャンネル(10)の間のゲート絶縁体(18)と、 からなるトランジスタ素子。
IPC (5件):
H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49
FI (7件):
H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/78 613A ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G
Fターム (49件):
4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F110AA21 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110BB09 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK11 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ16
引用特許:
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る