特許
J-GLOBAL ID:200903078756162335

反射防止構造

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 浅村 皓 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-213162
公開番号(公開出願番号):特開平7-020303
出願日: 1993年08月27日
公開日(公表日): 1995年01月24日
要約:
【要約】【目的】 低反射率の被覆構造を得る。【構造】 基板(25)上へ電子ビーム蒸着されたアルミニウムを窒素イオン照射によってランダムな構造を持つ被覆(23)とし、その迷路の中に光を捕獲することによって光を吸収する低反射率の被覆(21)が得られる。本発明の被覆は金属的な性質を保存している最初の数十原子層を除いて電気的に絶縁性である。0.4ないし16μmの領域における吸収率は90%を越える。本被覆は柔軟で、重合体ベース上へも取り付けることができる。
請求項(抜粋):
光を吸収する低反射率の膜を作製する方法であって:(a)基板を提供すること、および(b)アルミニウム元素とチタン元素のうちの1つを蒸着させたものを窒素で衝撃することによって、前記基板上へアルミニウム元素とチタン元素のうちの前記1つの窒化物を堆積させること、の工程を含む方法。

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