特許
J-GLOBAL ID：200903078759360774
シリコン単結晶ウェーハの処理方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-197654
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021033
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 チョクラルスキー法によって引き上げられた単結晶より製造されるシリコン単結晶ウェーハにおける酸化膜耐圧特性の改善を図る。【構成】 チョクラルスキー法によって引き上げられた単結晶より製造されるシリコン単結晶ウェーハを1100〜1300°Cの温度範囲において、酸素又は酸素を含む雰囲気中で、0.5〜24時間の熱処理を施し、この時に形成される酸化膜を除去した後に、当該ウェーハの表面をポリッシュし除去する。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法によって引き上げられた単結晶より製造されるシリコン単結晶ウェーハを、1100〜1300°Cの温度範囲において0.5〜24時間熱処理を施し、この時に形成される酸化膜を除去した後に、当該ウェーハの表面をポリッシュし除去することを特徴とするシリコン単結晶ウェーハの処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/324
, H01L 21/02
