特許

J-GLOBAL ID：200903078769047098

半導体装置及びその製造方法

発明者： 長谷部 裕治 ,  大島 久純
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-233042
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082949
出願日： 1995年09月11日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】 本発明はリーク電流が少なく、メタルシリサイド層やメタル層をソース、ドレイン上に形成しない場合に比べて動作速度が大きい半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明によると、メタルシリサイド層(13a)またはメタル層(13)をソース(15a)、ドレイン(15b)上に形成する半導体装置において、上記メタルシリサイド層またはメタル層の端部とソース、ドレインのpn接合の界面をオフセットさせるオフセット層(12)を有することを特徴とする半導体装置が提供される。

請求項（抜粋）：

メタルシリサイド層またはメタル層をソース、ドレイン上に形成する半導体装置において、上記メタルシリサイド層またはメタル層の端部とソース、ドレインのpn接合の界面をオフセットさせるオフセット層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 21/28 301 T