特許

J-GLOBAL ID：200903078771112859

ド-プされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品及びド-プされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品の作製プロセス

発明者： ウー-ハイオン リー ,  ラリタ マンチャンダ
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-065742
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297867
出願日： 1999年03月12日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、ドープされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品及びドープされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品の作製プロセスを提供する。【解決手段】 ドープされた金属酸化物誘電体材料及びこの材料で作られた電子部品が明らかにされている。金属酸化物はIII族又はV族金属酸化物(たとえば、Al2O3、Y2O3、Ta2O5またはV2O5)で、金属ドーパントはIV族元素(Zr、Si、TiおよびHf)である。金属酸化物は約0.1重量パーセントないし約30重量パーセントのドーパントを含む。本発明のドープされた金属酸化物誘電体は、多くの異なる電子部品及びデバイス中で用いられる。たとえば、ドープされた金属酸化物誘電体は、MOSデバイスのゲート誘電体として用いられる。ドープされた金属酸化物誘電体はまた、フラッシュメモリデバイスのポリ間誘電体材料としても用いられる。

請求項（抜粋）：

誘電体材料は少なくとも1種類のIV族元素をドープしたIII族金属又はVB族金属の金属酸化物で、誘電体材料は約0.1重量パーセントないし約30重量パーセントのドーパントを含む誘電体材料を含む電子部品。

IPC (7件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 301 G