特許

J-GLOBAL ID：200903078773350226

光半導体装置

発明者： 高橋 強 ,  大古田 敏幸 ,  金子 智
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-307638
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148617
出願日： 1995年11月27日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】 フォトダイオードとCMOSとを有する光半導体装置において、フォトダイオードに流れる電流によるノイズを防止するとともに、フォトダイオードの高速応答性を向上させる。【解決手段】 P型半導体基板1上にI型半導体層2が形成され、このI型半導体層2上にN型エピタキシャル層3が形成されている。そして、I型半導体層2とエピタキシャル層3との間のPチャネルMOSトランジスタ形成領域22の下方からNチャネルMOSトランジスタ形成領域23の下方までの間の領域に、N+ 型埋め込み層4が設けられている。埋め込み層4及びI型半導体層2によって、フォトダイオードに流れる電流がウェル領域7に流れることが防止される。また、基板1とエピタキシャル層3との間にI型半導体層2が設けられていることにより厚い空乏層が形成され、フォトダイオードの高速応答性が改善される。

請求項（抜粋）：

少なくともPINフォトダイオード、NチャネルMOSトランジスタ及びPチャネルMOSトランジスタが集積された光半導体装置であって、 前記NチャネルMOSトランジスタのソース・ドレイン領域の下方から前記PチャネルMOSトランジスタのソース・ドレイン領域の下方までの間の領域に、半導体基板に対し逆導電型の埋め込み層が設けられていることを特徴とする光半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (3件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 27/08 321 M ,  H01L 31/10 G