特許

J-GLOBAL ID：200903078776943686

半導体装置の製造方法

発明者： 野間 崇
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-199503
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028349
出願日： 1999年07月13日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】【課題】 コバルトシリサイドプロセスの作業性向上を図る。【解決手段】 コバルトシリサイドプロセス構造の半導体装置の製造方法において、シリサイド形成領域上に形成したコバルト膜37上にこのコバルト膜37と同一成分を含む酸化抑止膜(窒化コバルト膜38)を積層した後に、この窒化コバルト膜38を介して前記コバルト膜37を熱処理してシリサイド化する工程とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

コバルトシリサイド構造を有する半導体装置の製造方法において、シリサイド形成領域上に形成したコバルト膜上にこのコバルト膜と同一成分を含む酸化抑止膜を積層する工程と、前記酸化抑止膜を介して前記コバルト膜を熱処理してシリサイド化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/28 301 T ,  H01L 29/78 301 P

Fターム (26件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD32 ,  4M104DD37 ,  4M104DD64 ,  4M104DD78 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104FF14 ,  4M104FF16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F040DA10 ,  5F040DB01 ,  5F040DC01 ,  5F040EC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EC13 ,  5F040EH07 ,  5F040EK01 ,  5F040FC19