マグネトロンプラズマ処理装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-248693
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077089
出願日： 1999年09月02日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】被処理体の処理空間の所望の位置に局部的に強磁場強度部分を形成して、処理空間のプラズマ密度を高くすることができるマグネトロンプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】基板30にマグネトロンプラズマ処理を施すに際し、複数の異方性セグメント磁石22をチャンバー1の周囲にリング状に配置してなるダイポールリング磁石21を設け、電極間1,16の電界方向に直交する平面内において、磁場方向に直交する方向に沿って、E側からW側へ向かって磁場強度が小さくなる磁場勾配を形成し、かつ、複数の異方性セグメント磁石22を、被処理基板30のE側端部の領域A近傍に領域AにN極を向けて配置される異方性セグメント磁石からなる第1部分aと、領域A近傍に領域AにS極を向けて配置される異方性セグメント磁石からなる第2部分bとを含むようにし、領域Aの磁場強度を局部的に高くする。

請求項（抜粋）：

被処理基板が装入され、真空に保持可能なチャンバーと、前記チャンバー内に互いに対向して設けられた一対の電極と、これら一対の電極の間に電界を形成する電界形成手段と、チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記一対の電極間の処理空間に、電界方向と直交しかつ一方向に向かう磁場を形成する磁場形成手段とを具備し、前記処理空間に、電極に対して平行に被処理基板が配置された状態で該基板にマグネトロンプラズマ処理を施すマグネトロンプラズマ処理装置であって、前記磁場形成手段は、複数の異方性セグメント磁石を前記チャンバーの周囲にリング状に配置してなるダイポールリング磁石を有し、前記電極間の電界方向に直交する平面内において、磁場方向に直交する方向に沿って、電子ドリフト方向上流側で磁場強度が大きく下流側で磁場強度が小さくなる磁場勾配を形成し、前記複数の異方性セグメント磁石は、被処理基板の電子ドリフト方向上流側端部の外側に位置する所定領域の近傍にその所定領域にN極を向けて配置される1または2以上の異方性セグメント磁石からなる第1部分と、前記所定領域の近傍にその所定領域にS極を向けて配置される1または2以上の異方性セグメント磁石からなる第2部分とを含み、これら第1部分および第2部分により前記所定領域の磁場強度を局部的に高くすることを特徴とするマグネトロンプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 , H05H 1/46 M , H05H 1/46 A

Fターム (23件)：

4K057DA20 , 4K057DB20 , 4K057DD01 , 4K057DD08 , 4K057DE14 , 4K057DE20 , 4K057DM03 , 4K057DM18 , 4K057DM24 , 4K057DM33 , 4K057DN01 , 5F004AA01 , 5F004AA06 , 5F004BA08 , 5F004BB07 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BB22 , 5F004BD07 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DB03 , 5F004DB07

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