特許

J-GLOBAL ID：200903078782085098

感磁性型半導体装置

発明者： 水木 敏雄
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-295566
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152639
出願日： 1991年11月12日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】 レベルシフトダイオードが不要で、配線距離を最も短く、かつチップ面積を最小とするICチップ化した磁束密度検出器を得る。【構成】 ホール素子1と、この素子の電流端子1cと電源接続端子10との間に接続された定電流用FET2を有し、ホール素子1の二つの出力端子1a,1bにはそれぞれゲート接地された増幅用FET3および4が接続され、かつ、この各FET3,4の出力側にはそれぞれ電源接続端子10との間に抵抗5,6が接続されてなり、4角形ICチップの中央部にホール素子1部、このホール素子1部を挟む1つの対角線両側に各増幅用FET3および4部、他の対角線片側に定電流用FET2部を配置する。又、ホール素子部を構成する能動層を2次元キャリアガス層、FET部をHEMTとすれば、さらに感度及びスイッチングスピードが向上できる。

請求項（抜粋）：

ホール素子と、この素子の電流端子と電源接続端子との間に接続された定電流用FETを有し、ホール素子の二つの出力端子には、それぞれゲート接地された増幅用FETが接続され、かつ、この各増幅用FETの出力側には、それぞれ電源接続端子との間に抵抗が接続されてなり、4角形ICチップの中央部にホール素子部、このホール素子部を挟む1つの対角線両側に各増幅用FET部、他の対角線片側に電流用FET部を配置したことを特徴とする感磁性型半導体装置。