特許

J-GLOBAL ID：200903078789713230

N型半導体薄膜の製造方法及び薄膜サーミスタの製造方法

発明者： 藤安 洋 ,  長谷川 和宏 ,  山田 修寧 ,  村松 京市 ,  坂本 哲野 ,  朝倉 正博
出願人/特許権者： 静岡県 ,  株式会社クラベ
代理人 (1件)： 越川 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-240609
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063972
出願日： 1995年08月24日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 簡便な装置を用い成長率も高く、窒素不純物を容易な方法で制御性よく添加できる炭化珪素からなるN型半導体薄膜の製造方法、及び低温(室温付近〜-50°C程度まで)における炭化珪素薄膜サーミスタの抵抗値の急激な増大を抑え、B定数が低温で小さく高温では大きくなる特性を有し、かつサーミスタ特性を簡便な方法で制御できる炭化珪素からなる薄膜サーミスタの製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁基板10上に窒化珪素膜20を形成し、該窒化珪素膜20上にホットウォールエピタキシー法により炭化珪素膜を成長させてなる半導体層21を形成する。また、絶縁基板10上に窒化珪素膜20を形成し、該窒化珪素膜20上にホットウォールエピタキシー法により炭化珪素膜を成長させてなる感温半導体層21を形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に窒化珪素膜を形成し、該窒化珪素膜上にホットウォールエピタキシー法により炭化珪素膜を成長させてなる半導体層を形成することを特徴とするN型半導体薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01C 7/04

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01C 7/04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 炭化珪素膜の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-087664   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭54-035352