特許
J-GLOBAL ID：200903078790759340
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-134780
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349786
出願日： 1993年06月04日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造プロセスにおけるイオン注入済のレジストマスクの除去方法に関し、レジストマスク表面に形成されたイオン注入装置の構成材料である金属からなる薄膜が残渣として残留しないようにする除去方法を提供することを目的とする。【構成】 水素と水蒸気と不活性ガスの混合ガスプラズマ処理をなした後、少なくとも酸素を含むガスプラズマのダウンフロー処理をなすか、または、不活性ガスプラズマ処理をなした後、水素と水蒸気の混合ガスプラズマ処理をなし、さらに少なくとも酸素を含むガスプラズマのダウンフロー処理をなすか、または、水素と水蒸気の混合ガスプラズマ処理をなした後、不活性ガスプラズマ処理をなし、さらに少なくとも酸素を含むガスプラズマのダウンフロー処理をなしてイオン注入済のレジストマスクを除去する。
請求項（抜粋）：
水素と水蒸気と不活性ガスの混合ガスプラズマ処理をなした後、少なくとも酸素を含むガスプラズマのダウンフロー処理をなしてイオン注入済のレジストマスクを除去する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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