特許
J-GLOBAL ID:200903078795709783
基板処理装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
三好 祥二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-013184
公開番号(公開出願番号):特開2000-216149
出願日: 1999年01月21日
公開日(公表日): 2000年08月04日
要約:
【要約】【課題】基板処理装置に於いて、反応管内に金属面が露出しない様にし、反応管内の金属汚染を防止し、ウェーハの処理品質の向上を図る。【解決手段】ロードロック室1と該ロードロック室に気密に連設される反応管3とを少なくとも具備し、前記ロードロック室と反応管とはロードロック室に穿設された炉口孔2を通して連通され、ウェーハはボート8に装填された状態で前記反応管に装入され処理される基板処理装置に於いて、前記ボートは石英製の石英キャップベース21に設けられ、ボート装入時には石英キャップベースが前記反応管フランジに当接して反応管を閉塞し、ボート引出し時には炉口シャッタが前記ロードロック室に当接して前記炉口孔を閉塞するものであり、ウェーハ処理時に反応管内には金属部分が露出せず、ウェーハの金属汚染が防止される。
請求項(抜粋):
ロードロック室と該ロードロック室に気密に連設される反応管とを少なくとも具備し、前記ロードロック室と反応管とはロードロック室に穿設された炉口孔を通して連通され、ウェーハはボートに装填された状態で前記反応管に装入され処理される基板処理装置に於いて、前記ボートは石英製の石英キャップベースに設けられ、ボート装入時には石英キャップベースが前記反応管フランジに当接して反応管を閉塞し、ボート引出し時には炉口シャッタが前記ロードロック室に当接して前記炉口孔を閉塞することを特徴とする基板処理装置。
IPC (6件):
H01L 21/31
, C23C 14/50
, C23C 16/44
, H01L 21/205
, H01L 21/22 511
, H01L 21/68
FI (6件):
H01L 21/31 B
, C23C 14/50 K
, C23C 16/44 F
, H01L 21/205
, H01L 21/22 511 Q
, H01L 21/68 A
Fターム (17件):
4K029KA05
, 4K029KA09
, 4K030BA01
, 4K030BA42
, 4K030CA12
, 4K030KA10
, 4K030KA49
, 4K030LA01
, 5F031CA02
, 5F031HA67
, 5F031NA05
, 5F045BB14
, 5F045DP19
, 5F045EB08
, 5F045EB10
, 5F045EB11
, 5F045EN01
引用特許:
出願人引用 (3件)
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半導体製造装置の縦型炉
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-307272
出願人:国際電気株式会社
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特開平3-151632
-
ウエーハ熱処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-352868
出願人:株式会社山形信越石英, 信越石英株式会社
審査官引用 (1件)
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