特許
J-GLOBAL ID：200903078798602475
半導体装置の製造方法と固体撮像装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-048914
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045583
出願日： 1993年03月10日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】 界面準位密度を低減し、しかも注入欠陥のレベルを抑える。【構成】 P型シリコン基板21上に絶縁膜22を形成する。この後、絶縁膜22上にレジストパターン23を形成する。このレジストパターン23をマスクにリンイオンビーム24を注入する。その後、絶縁膜22上に再度レジストパターンを形成し、ボロンをイオン注入してチャンネルストッパー領域26を形成してから、再度絶縁膜27を形成する。この後、フォトダイオード25を形成すべき領域以外の領域に堆積酸化膜28を形成する。堆積酸化膜28をマスクとしてボロンイオンビーム29をイオン注入する。次に、連続して弗素イオンビーム31をシリコン基板21全面にイオン注入する。
請求項（抜粋）：
半導体基板に一導電型のフォトダイオードを形成する工程と、前記フォトダイオードの前記半導体基板表面に前記フォトダイオードと逆導電型の拡散層を形成する工程と、前記拡散層内に弗素イオンを導入する工程とを少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 B
, H01L 31/10 A
