特許

J-GLOBAL ID：200903078798819563

多層回路基板及びその製造方法

発明者： 入間川 裕 ,  生田 貴紀 ,  末永 弘 ,  古橋 和雅
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-203401
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053654
出願日： 1992年07月30日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、ビアホール導体となるスルーホールに導電性ペーストを充填した時に、充填したビアホール導体の表面に発生する凹みを防止し、ビアホール導体の導通不良を皆無とした多層回路基板を提供する。【構成】 ガラス-セラミックから成る多層回路基板10であって、内部配線3間及び内部配線3と表面配線とを接続するビアホール導体5が、導電性粉末と、無機バインダーと、有機ビヒクルからなる導電性ペーストを焼成して形成されるとともに、重量平均分子量が約7.2×104 〜2.1×105 且つ全有機ビヒクルの3〜5wt%の有機バインダーを含むでいる。

請求項（抜粋）：

ガラス-セラミックから成る絶縁層間に低抵抗の金属材料から成る内部配線を配置した回路基板本体の表面に、表面配線を配置するとともに、前記内部配線間及び内部配線と表面配線とをビアホール導体を介して接続して成る多層回路基板であって、前記ビアホール導体は、導電性粉末と、無機バインダーと、有機ビヒクルから成り、さらに前記有機ビヒクルとして重量平均分子量が約7.2×104 〜2.1×105 で、且つ全有機ビヒクルの3〜5wt%の有機バインダーを含む導電性ペーストを焼成して形成されていることを特徴とする多層回路基板。

IPC (2件)：

H05K 3/46 ,  H05K 1/09