特許
J-GLOBAL ID：200903078800366954
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-126231
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334178
出願日： 1993年05月27日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 SOIタイプの半導体装置において、高キャリアモビリティと高電流駆動率を達成できる半導体装置を提供する。【構成】 半導体基板10上に形成された熱酸化膜14のチャネル領域にSi薄膜16が形成されている。さらにチャネル領域を挟んで対向するように、ソース、ドレイン領域22a,22bが半導体基板10上に直接形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の素子形成領域の所定部分に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されたチャネル領域となる半導体膜と、前記半導体膜上に形成されたゲート電極と、前記半導体膜を挟んで対向するように前記半導体基板上に形成されたソース、ドレイン領域となる不純物拡散領域を備え、そして前記ソース、ドレイン領域の少なくともどちらか一方が前記半導体基板上に直接形成されて成る半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 H
, H01L 29/78 311 X
