特許
J-GLOBAL ID：200903078801545453
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-120699
公開番号（公開出願番号）：特開平5-313195
出願日： 1992年05月13日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、画素電極群を選択給電するためのスイッチングトランジスタと駆動回路を電気的絶縁基板上の単結晶シリコン上に形成したアクティブマトリクス型装置において、駆動回路の消費電力を低減し、スイッチングトランジスタのリーク電流を減少し、かつ駆動回路を形成するP型MOSトランジスタとN型MOSトランジスタの両方のリーク電流を減少させることを目的とする。【構成】 駆動回路はCMOS回路から形成され、かつスイッチングトランジスタが形成される領域のシリコン層の厚みを駆動回路が形成される領域のシリコン層の厚みより薄くしたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
電気絶縁性物質上にある半導体シリコン単結晶膜上に、画素電極群に対して選択給電を行うスイッチ素子群と前記スイッチ素子群を選択動作させる駆動回路素子群が形成された光弁基板用半導体装置において、前記駆動回路素子群は、少なくとも相補型MOSトランジスタ集積回路から形成され、かつ画素電極群に対して選択給電を行うスイッチ素子群が形成される領域の半導体単結晶シリコン層の厚みは、駆動回路素子群が形成される領域の半導体単結晶シリコン層の厚みより薄いことを特徴とする光弁基板用半導体装置。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, H01L 27/092
, H01L 27/12
, H01L 29/784
H01L 27/08 321 M
, H01L 29/78 311 C
