特許
J-GLOBAL ID：200903078802689165
高周波電力増幅回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-204897
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152978
出願日： 1991年07月19日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【目的】 準SHFクラスの超高周波帯でも、良好な増幅特性および電力効率を確保しつつ、高周波出力電力を簡単に実現可能な方式で広範囲に可変制御させられるようにする。【構成】 高周波電力増幅回路を終段回路と駆動回路の多段で構成するとともに、終段回路の増幅素子をGaAsFETで構成し、駆動回路の増幅素子をエンハンスメント型のシリコンMOSトランジスタで構成する。【効果】 動作電源電圧と逆極性のバイアス電圧を制御することを行なわなくても、高周波電力増幅回路全体の電力利得を広範囲に変化させることができる。
請求項（抜粋）：
終段回路と駆動回路からなる多段構成の高周波電力増幅回路であって、上記終段回路の増幅素子がGaAsFETで、上記駆動回路の増幅素子がエンハンスメント型のシリコンFETであることを特徴とする高周波電力増幅回路。
IPC (3件)：
H04B 1/04
, H03F 3/195
, H03F 3/60
