特許
J-GLOBAL ID:200903078805963322
超短パルスレーザによるレーザ改質方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (8件):
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-047414
公開番号(公開出願番号):特開2006-231353
出願日: 2005年02月23日
公開日(公表日): 2006年09月07日
要約:
【課題】被加工物の表面の特性改質、改質性能の制御、及び任意の改質領域のマスクレス形成を可能とし、超微細構造と周期構造である微細パターンとを兼ね備えた微細表面構造を形成して表面改質を行えるようにすること。【解決手段】レーザ改質を施す材料表面に超短パルスレーザを照射することで、該照射を行うスポット内に超微細構造を形成し、上記スポットをスキャンするスポットスキャンを行うことで、上記材料表面に微細パターンを形成して、上記材料表面の表面改質を行う。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
レーザ改質を施す材料表面に超短パルスレーザを照射することで、該照射を行うスポット内に超微細構造を形成すると共に、上記スポットをスキャンするスポットスキャンを行うことで、上記材料表面に微細パターンを形成して、上記材料表面の表面改質を行うことを特徴とする、超短パルスレーザによるレーザ改質方法。
IPC (3件):
B23K 26/00
, B23K 26/08
, B23K 26/12
FI (3件):
B23K26/00 E
, B23K26/08 B
, B23K26/12
Fターム (12件):
4E068AH00
, 4E068CA01
, 4E068CA02
, 4E068CA03
, 4E068CA08
, 4E068CB10
, 4E068CE03
, 4E068CJ01
, 4E068CJ09
, 4E068DB01
, 4E068DB07
, 4E068DB11
引用特許:
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