特許
J-GLOBAL ID：200903078807808170
化合物半導体エピタキシャルウェハのエッチング終点検出方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池田 治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-180883
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027775
出願日： 1996年07月10日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：
【要約】【課題】エッチング制御層を設けることが困難なウェハの場合にも、所望のエッチング深さが得られるエッチング終点検出方法を提供する。【解決手段】電流阻止層24および狭窄電流通電層20とは屈折率が異なる35(nm)程度の厚さの可視光反射層22を介してそれらが積層された状態でその電流阻止層24がエッチングされ、表面32側から白色光を照射して反射光が検出され、その反射光中から青色光が消滅したことをもってエッチング終了が判断される。ウェハ38に白色光が照射されると、可視光反射層22の表面および裏面において屈折率の相違に基づいてそれぞれ光が反射されて干渉させられるが、その厚さが青色光の干渉色が生じる厚さに設定されていることから、電流阻止層24の浸食中はその青色光が強められた反射光が検出され、エッチング深さが所定の深さに到達して可視光反射層22の厚さが変化させられると反射光中からその青色光が実質的に消滅する。
請求項（抜粋）：
化合物半導体が順次結晶成長させられて積層されたエピタキシャルウェハの一部を積層表面からエッチング処理して除去するに際して、該エピタキシャルウェハの一部が所定の深さまで除去されたことを検出するエッチング終点検出方法であって、前記除去されるエピタキシャルウェハの一部を構成する第1の化合物半導体および該第1の化合物半導体の下側に位置する第2の化合物半導体とは屈折率が異なり、且つ所定波長の可視光の干渉色が生じる所定厚さの可視光反射層が前記所定深さ位置に設けられて、該第1の化合物半導体と該第2の化合物半導体とが該可視光反射層を介して積層された状態で前記積層表面から該第1の化合物半導体をエッチング処理するエッチング工程と、前記積層表面側から前記所定波長の可視光を含む多色光を照射し、前記エピタキシャルウェハからの反射光を検出する反射光検出工程と、該検出された反射光に前記所定波長の可視光が含まれるか否かを判断し、該反射光中から該所定波長の可視光が消滅したことをもってエッチング処理が終了したことを判断する判断工程とを、含むことを特徴とする化合物半導体エピタキシャルウェハのエッチング終点検出方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/306 U
, H01L 33/00 B
