特許
J-GLOBAL ID：200903078807813867
半導体物理量センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-300409
公開番号（公開出願番号）：特開平8-136576
出願日： 1994年11月08日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【構成】 ガラス製のカバー5の内面に、櫛歯状の導通部11aとその間の隙間の逃がし部11bからなる圧着部11を設ける。フレーム3の上面に凹設した引出し溝12の内面を絶縁膜13で覆い、その上に櫛歯状の導通部14aと逃がし部14bからなる圧着部14を設ける。カバー5側の導通部11aをフレーム3側の逃がし部14bにはめ、フレーム3側の導通部14aをカバー5側の逃がし部11bにはめるようにして圧着部11,14同志を押し潰して接合させる。【効果】 加圧力により導通部は押し潰され、押し潰された導通部は逃がし部に広がるので、小さな力で確実に接合できる。
請求項（抜粋）：
物理量の検知部を設けた基板と、前記基板の少なくとも片面に接合された基板とからなり、いずれか一方の前記基板に、外部との電気的接続のための接続配線を設け、他方の基板に、物理量の検知に関わる電極と当該電極に接続する接続配線とを設け、前記2つの接続配線を圧着することにより、前記2つの接続配線を電気的に接続した半導体物理量センサにおいて、少なくとも一方の前記接続配線の圧着部に、圧着により圧延された前記接続配線が逃げることのできる逃がし部を設けたことを特徴とする半導体物理量センサ。
IPC (3件)：
G01P 15/125
, G01L 1/14
, H01L 29/84
