特許

J-GLOBAL ID：200903078810218252

半導体装置

発明者： 木下 英太 ,  木村 吉孝 ,  飯田 重雄
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 高矢 諭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-264141
公開番号（公開出願番号）：特開平11-103054
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：

【要約】【課題】 集積回路パターン設計の能率低下を抑えながら、限られた集積回路面積の範囲で電界効果トランジスタのゲート幅を拡大することで、集積度の低下を抑えながら該電界効果トランジスタの駆動電流を増大する。【解決手段】 コンタクトを縦横に等間隔のコンタクト配置予定箇所に配置する。コンタクトの間に通した前記ゲート電極を、斜めにゲート電極用のコンタクトに接続する。拡散層領域は、拡散層領域には接続されないコンタクトの間の部分の方向に拡張する。限られた集積回路面積の範囲でゲート幅を拡張できる。

請求項（抜粋）：

拡散層領域をソースからドレインに流れる電流を、該拡散層領域に対して電気的に絶縁させながら該拡散層領域の上方に設けた、ゲート電極に印加する電圧により制御するようにした電界効果トランジスタを作り込んだ半導体装置において、 前記ソース及び前記ドレイン及び前記ゲート電極に対する接続に用いるコンタクトを、縦横に等間隔のコンタクト配置予定箇所に配置するようにし、前記ソースのコンタクト及び前記ドレインのコンタクトの間に通した前記ゲート電極を、斜めに該ゲート電極用のコンタクトに接続して、構成した電界効果トランジスタを作り込むと共に、該電界効果トランジスタの拡散層領域を、その電界効果トランジスタのものをも含めその他の拡散層領域には接続されないコンタクトの間の部分の方向に拡張するようにしたことを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-089555
  
• 特開平2-170437
  
• 特開平4-164371