特許

J-GLOBAL ID：200903078810354741

被膜付き基板およびその製造方法

発明者： 豊島 隆之
出願人/特許権者： 日本板硝子株式会社
代理人 (1件)： 小山 有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-281789
公開番号（公開出願番号）：特開2002-088474
出願日： 2000年09月18日
公開日（公表日）： 2002年03月27日
要約：

【要約】【課題】 大きな面積の基板に対して、基板表面での光触媒活性を有する酸化物と親水性を有する酸化物を、分離されていながら一定の比率に保ち、高い防汚性及びその性能を長く維持できる防汚性基板を得る。【解決手段】 基板上に光触媒活性を有する透明被膜を形成する工程と、この光触媒活性を有する透明被膜の上に親水性を有する透明被膜を形成する工程と、この基板上に形成された前記両透明被膜の上部からレーザーを断続的に照射して上層の親水性を有する透明被膜を部分的に除去する工程からなり、親水性を有する透明被膜の除去により下層に露出する光触媒活性を有する透明被膜にレーザー照射によるアニールが行われて結晶化されたレーザー処理部を前記基板の全面に多数点在させた。

請求項（抜粋）：

減圧した雰囲気が調整できる真空装置内でスパッタリング法により基板上に防汚性を有する被膜を形成してなる被膜付き基板の製造方法であって、この製造方法は、基板上に光触媒活性を有する透明被膜を形成する工程と、この光触媒活性を有する透明被膜の上に親水性を有する透明被膜を形成する工程と、この基板上に形成された前記両透明被膜の上部からレーザーを断続的に照射して上層の親水性を有する透明被膜を部分的に除去する工程からなり、親水性を有する透明被膜の除去により下層に露出する光触媒活性を有する透明被膜にレーザー照射によるアニールが行われて結晶化されたレーザー処理部を前記基板の全面に多数点在させたことを特徴とする被膜付き基板の製造方法。

IPC (5件)：

C23C 14/58 ,  B01J 35/02 ,  B32B 9/00 ,  C03C 17/34 ,  C23C 14/10

FI (5件)：

C23C 14/58 C ,  B01J 35/02 J ,  B32B 9/00 A ,  C03C 17/34 Z ,  C23C 14/10

Fターム (50件)：

4F100AA20C ,  4F100AA21B ,  4F100AG00A ,  4F100AT00A ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100BA13 ,  4F100EH112 ,  4F100EH662 ,  4F100EJ412 ,  4F100EJ612 ,  4F100JB05C ,  4F100JL06 ,  4F100JN01B ,  4F100JN01C ,  4F100JN30B ,  4G059AA01 ,  4G059AB01 ,  4G059AB09 ,  4G059AB11 ,  4G059AC21 ,  4G059AC22 ,  4G059EA04 ,  4G059EA05 ,  4G059EB04 ,  4G059GA01 ,  4G059GA04 ,  4G059GA12 ,  4G069AA03 ,  4G069AA08 ,  4G069BA02B ,  4G069BA04B ,  4G069BA48A ,  4G069BA48C ,  4G069CA01 ,  4G069CA07 ,  4G069CA10 ,  4G069CA11 ,  4G069EA08 ,  4G069ED02 ,  4G069FB02 ,  4K029AA09 ,  4K029BA46 ,  4K029BA48 ,  4K029BC00 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029GA00