特許

J-GLOBAL ID：200903078810597350

リソグラフィー用リンス液及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法

発明者： 原田 庸一郎 ,  脇屋 和正 ,  小林 政一 ,  田中 初幸 ,  中山 寿昌
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-206215
公開番号（公開出願番号）：特開平6-027684
出願日： 1992年07月10日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【構成】 エチレンカーボネート及びプロピレンカーボネートの中から選ばれた少なくとも1種の化合物から成るリソグラフィー用リンス液であって、このリンス液は上記化合物のみでもよいし、該化合物と水混和性有機溶剤又は水あるいはその両方との混合物でもよい。また、リソグラフィー法により半導体デバイスを製造する際に、基板上のレジストパターンを有機アミン系剥離液で除去した後で、上記リンス液を用いてリンス処理するものである。【効果】 リンス液は、引火点が高く、防災上や貯蔵上の問題がなくて取り扱いやすく、しかも回路パターンの腐食を防止しうるので、半導体デバイスの製造過程、特にリソグラフィー工程に好適に用いられる。また上記方法によれば、半導体製造過程におけるレジストパターンの剥離液による除去処理に続くリンス工程に上記したとおり取り扱いやすいリンス液を用いることができ、しかも回路パターンの腐食を防止しうる。

請求項（抜粋）：

エチレンカーボネート及びプロピレンカーボネートの中から選ばれた少なくとも1種の化合物から成るリソグラフィー用リンス液。

IPC (2件)：

G03F 7/32 501 ,  H01L 21/027