特許

J-GLOBAL ID：200903078813279287

半導体プロセス・デバイスシミュレーション装置

発明者： 佐藤 康弘
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-350236
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176707
出願日： 1997年12月05日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】 専門知識をもっていない初心者でも,パラメータの入力が容易で,かつシミュレーション計算結果の信頼性を容易に判断できること。【解決手段】 半導体プロセスにおけるプロセスフローの順序に基づいて必要なパラメータを順番に入力するパラメータ入力部101と,プロセス毎に,入力されるパラメータに対するシミュレーションと実測値との誤差情報を格納しておくプロセス毎の誤差情報データベース106と,シミュレーション実行対象のプロセスフローで入力されたパラメータに対するシミュレーションの結果と実測値のずれの予測値を,プロセス毎の誤差情報データベース106に格納されている誤差情報に基づいて計算するシミュレーション誤差計算部102と,シミュレーション誤差計算部102の計算結果あるいは誤差情報を表示する表示部104と,を備えた。

請求項（抜粋）：

拡散,注入などの複数のプロセスを連続して計算し,所望とする半導体デバイスの形状や電気特性を出力する半導体プロセス・デバイスシミュレーション装置において,半導体プロセスにおけるプロセスフローの順序に基づいて必要なパラメータを順番に入力するパラメータ入力手段と,プロセス毎に,入力されるパラメータに対するシミュレーションと実測値との誤差情報を格納しておく誤差情報格納手段と,シミュレーション実行対象の前記プロセスフローで入力されたパラメータに対するシミュレーションの結果と実測値のずれの予測値を,前記誤差情報格納手段に格納されている誤差情報に基づいて計算する誤差計算手段と,前記誤差計算手段の計算結果あるいは誤差情報を表示する表示手段と,を備えたことを特徴とする半導体プロセス・デバイスシミュレーション装置。

IPC (4件)：

H01L 21/00 ,  G06F 17/00 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/265

FI (4件)：

H01L 21/00 ,  H01L 21/22 Z ,  G06F 15/20 D ,  H01L 21/265 Z