特許
J-GLOBAL ID：200903078815488797
半導体歪みセンサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-005030
公開番号（公開出願番号）：特開平8-193901
出願日： 1995年01月17日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：
【要約】【目的】外部回路を付加することなくコンパクト化及び簡素化を図るとともに、半導体基板に形成されたダイヤフラムの形状に関係なく感度を調整可能とした。【構成】半導体基板3 の中央に薄膜ダイヤフラム6 を形成し、その表面に4つの歪み抵抗8a〜8dを拡散形成し、4つの歪み抵抗8a〜8dによってホイーストンブリッジ20を形成して構成される半導体歪みセンサ1 において、薄膜ダイヤフラム6以外の半導体基板3 の表面に複数の拡散抵抗9a,9b を拡散形成し、半導体基板3の表面には拡散抵抗9aを常にはホイーストンブリッジ20の電極パッド21a,21c に対して並列接続し、必要に応じて拡散抵抗9aを電極パッド21a,21c から切り離すヒューズ31を形成するとともに、拡散抵抗9bを常にはホイーストンブリッジ20の電極パッド21a,21c に対して切り離した状態とし、必要に応じて拡散抵抗9bを21a,21c に対して並列接続するツェナーダイオード10を形成した。
請求項（抜粋）：
半導体基板の中央に薄膜ダイヤフラムを形成し、その表面に4つの歪み抵抗を拡散形成し、前記4つの歪み抵抗によってホイーストンブリッジを形成して構成される半導体歪みセンサにおいて、前記薄膜ダイヤフラム以外の半導体基板の表面に複数の定電流用抵抗を拡散形成し、前記半導体基板の表面には定電流用抵抗を常にはホイーストンブリッジの入力端子に対して並列接続し、必要に応じて定電流用抵抗を入力端子から切り離す定電流用ノーマリオン素子を形成するとともに、定電流用抵抗を常にはホイーストンブリッジの入力端子に対して切り離した状態とし、必要に応じて定電流用抵抗を入力端子に対して並列接続する定電流用ノーマリオフ素子を形成した半導体歪みセンサ。
IPC (4件)：
G01L 9/04 101
, G01B 7/16
, G01L 1/18
, H01L 29/84
