特許

J-GLOBAL ID：200903078815938202

酸化ケイ素膜の形成方法

発明者： 佐々木 基 ,  中村 隆司 ,  峰 勝利
出願人/特許権者： 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-045824
公開番号（公開出願番号）：特開平6-240455
出願日： 1993年02月10日
公開日（公表日）： 1994年08月30日
要約：

【要約】【目的】 基材表面にクラックおよびピンホールを有しない、緻密なセラミック状酸化ケイ素膜を形成する方法を提供する。【構成】 基材表面に、一般式:(HR2SiO1/2)X(SiO4/2)1.0(式中、Rは水素原子、アルキル基およびアリール基からなる群から選択される基であり、Xは0.1≦X≦2.0である。)で示されるケイ素樹脂を主剤としてなる被膜を形成し、次いで該被膜の形成された該基材を、酸素ガスを20体積%以上含有するガス雰囲気下で加熱して、該被膜をセラミック状酸化ケイ素膜にすることを特徴とする酸化ケイ素膜の形成方法。

請求項（抜粋）：

基材表面に、一般式:(HR2SiO1/2)X(SiO4/2)1.0(式中、Rは水素原子、アルキル基およびアリール基からなる群から選択される基であり、Xは0.1≦X≦2.0である。)で示されるケイ素樹脂を主剤としてなる被膜を形成し、次いで該被膜の形成された該基材を、酸素ガスを20体積%以上含有するガス雰囲気下で加熱して、該被膜をセラミック状酸化ケイ素膜にすることを特徴とする酸化ケイ素膜の形成方法。

IPC (3件)：

C23C 14/58 ,  C04B 41/81 ,  C04B 41/87