特許
J-GLOBAL ID：200903078818825956
半導体製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-203811
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058083
出願日： 1993年08月18日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【構成】プラズマプロセス装置において、ウェ-ハ12を載置する下部電極11と、この下部電極11に対向する上部電極14と、下部電極11の上部電極14に対向している面を覆うようにして、上面は平面だが下面の下部電極11に接している面は周辺部の厚さが中心部よりも厚くなるような形で設置されている絶縁物カバ-13とからなることを特徴としている。【効果】本発明によれば、プラズマプロセスにおける成膜速度やエッチングレートの均一性を向上させた半導体製造装置を提供できる。
請求項（抜粋）：
ウェ-ハを載置する下部電極と、この下部電極に対向する上部電極と、前記下部電極の前記上部電極に対向している面を覆い、上面は平面であり、周辺部の厚さが中心部よりも厚い絶縁物カバ-とを有することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H05H 1/46
