特許

J-GLOBAL ID：200903078823030325

多孔質セラミックス膜の製造方法

発明者： 河合 千尋 ,  山川 晃
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 中村 勝成 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-190721
公開番号（公開出願番号）：特開平7-017780
出願日： 1993年07月02日
公開日（公表日）： 1995年01月20日
要約：

【要約】【目的】 ガス分離膜として圧力損失が小さく且つガス分離効率に優れた多孔質セラミックス膜を、短時間で簡単且つ容易に製造する方法を提供する。【構成】 Si等のアルコキシド、B等のアルコキシド、酸素ガスを原料ガスとするCVD法により、多孔質セラミックス焼結体からなる基材上に400〜1200°Cの温度でSiO2-B2O3等の複合酸化物膜を形成し、この複合酸化物膜を耐酸性の差を利用してHCl又はHFの蒸気を用いてエッチング処理することによりB2O3等の特定酸化物のみを除去する。この方法により、B2O3等の特定酸化物の除去された跡に形成された細孔は、基材との接合面から他方の膜表面までほぼ直線状に連通したナノメーターサイズの均一な孔径を有する。

請求項（抜粋）：

Si、Zr、Ti、Hf、Pb及びAlからなる群から選ばれた少なくとも1種の元素のアルコキシドと、B、アルカリ金属及びアルカリ土類金属からなる群から選ばれた少なくとも1種の元素のアルコキシドと、酸素ガスとを原料ガスとして用いるCVD法により、連通気孔を有する多孔質セラミックス焼結体からなる基材上に400〜1200°Cの温度で両群の元素の複合酸化物膜を形成し、この複合酸化物膜を塩化水素又はフッ化水素の蒸気を用いてエッチング処理することにより、前記B、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の酸化物のみを除去することを特徴とする多孔質セラミックス膜の製造方法。

IPC (2件)：

C04B 38/04 ,  B01D 71/02 500