特許
J-GLOBAL ID：200903078829255043
マイクロ波プラズマ処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-251797
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104098
出願日： 1992年09月22日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】【構成】 マイクロ波発振器23と、マイクロ波を伝送する導波管22と、導波管22に接続された誘電体線路21と、誘電体線路21に対向配置されるマイクロ波導入窓14を有する反応器11と、反応器11内に設けられた試料保持部15aとを備えたマイクロ波プラズマ処理装置において、試料保持部15aに高周波電界または直流電界を印加する手段を備え、透過孔32を有するアースされた電極手段30がマイクロ波導入窓14に当接して配置されているマイクロ波プラズマ処理装置。【効果】 試料S表面において安定したバイアス電圧を発生させることができ、透過孔32を透過したマイクロ波によって反応室13内で生成したプラズマのプラズマポテンシャルを安定させ、プラズマ中のイオンエネルギーを適正化し、かつ試料S表面に対してイオンを垂直に照射することができる。したがってシリコンウェハを異方性を有して速いエッチレートにより、安定して均一にエッチングすることができる。
請求項（抜粋）：
マイクロ波発振器と、マイクロ波を伝送する導波管と、該導波管に接続された誘電体線路と、該誘電体線路に対向配置されるマイクロ波導入窓を有する反応器と、該反応器内に設けられた試料保持部とを備えたマイクロ波プラズマ処理装置において、前記試料保持部に高周波電界または直流電界を印加する手段を備え、透過孔を有するアースされた電極手段が前記マイクロ波導入窓に当接して配置されていることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
IPC (2件)：
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