高抵抗エピタキシャル層の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-239782
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064826
出願日： 1996年08月21日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】低温(1000°C以下)においても結晶のずれが起こらない高抵抗エピタキシャル層の形成方法の提供。【解決手段】 NonN+2層構造のDWシリコンウェハーSub6の裏面にバックシールエピタキシャル層n3の成長を行った後に、表面に高抵抗エピタキシャル層n-4を行うエピタキシャル成長方法。

請求項（抜粋）：

Siウェハー表面に高抵抗Siをエピタキシャル成長させる方法において、前記Siウェハーの裏面にバックシールエピタキシャル層を形成した後に、表面にエピタキシャル成長層を形成することを特徴とするエピタキシャル成長方法。

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