特許

J-GLOBAL ID：200903078835931425

半導体部材および半導体装置

発明者： 宮脇 守
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-016745
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217981
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 高速・高集積の集積回路を形成し得る半導体部材を提供する。【構成】 半導体部材は機能素子が形成されるべき単結晶半導体層2を有し、この単結晶半導体層2の主面はアンモニア過酸化水素水で洗浄された時の中心線平均粗さRaが0.4nm以下である。

請求項（抜粋）：

機能素子が形成されるべき単結晶半導体層を有し、該単結晶半導体層の主面が、体積比がNH4 OH:H2 O2 :H2 O=1:1:5なる組成のアンモニア過酸化水素水を用いて洗浄時間10分、洗浄温度85°Cなる洗浄条件の下で前記主面を洗浄した際に表面状態が中心線平均粗さRaで0.4nm以下の表面特性を有することを特徴とする半導体部材。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/74

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-259522
  
• 特開昭52-137738
  
• 特開平3-254125