特許

J-GLOBAL ID：200903078844870447

半導体装置およびその製造方法

発明者： 三室 陽一
出願人/特許権者： セイコー電子工業株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-086944
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297393
出願日： 1994年04月25日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】 MOS型半導体装置の駆動電流を向上し、かつ、耐圧を向上すること。【構成】 LDD構造を有するMOS型半導体装置において、LDD部分の第一導電型拡散層を半導体基板との2重の階段接合となる構造。

請求項（抜粋）：

LDD構造を有するMOS型半導体装置に於いて、半導体基板に形成された第1導電型拡散層のLDD部と半導体基板との間の接合が、階段状接合であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-255233
  
• 特開平4-269836
  
• 特開昭62-229976