特許

J-GLOBAL ID：200903078857381828

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

発明者： 鴨川 弘幸
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 川澄 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-331788
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133325
出願日： 2001年10月30日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【課題】HBTのノンアロイ層表面の平坦性の向上と接触抵抗の低減化を図ると共にHBTの寿命を延ばすことを可能とする。【解決手段】GaAs基板1上に、n型GaAsサブコレクタ層2、n型GaAsコレクタ層3、p型GaAsベース層4、n型AlGaAsエミッタ層6及びn型InGaAsノンアロイ層26、27のエピタキシャル層を積層した構造のHBTにおいて、そのノンアロイ層26、27のうち下側のノンアロイ層26にSiをドーピングし、上側のノンアロイ層27にSeをドーピングする。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に、n型GaAsサブコレクタ層、n型GaAsコレクタ層、p型GaAsベース層、n型AlGaAsエミッタ層及びn型InGaAsノンアロイ層のエピタキシャル層を積層したヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、上記ノンアロイ層のn型ドーパントとしてSeとSiを併用したことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/207 ,  H01L 29/737

FI (3件)：

H01L 29/205 ,  H01L 29/207 ,  H01L 29/72 H

Fターム (5件)：

5F003BF06 ,  5F003BM03 ,  5F003BP23 ,  5F003BP24 ,  5F003BP31