特許
J-GLOBAL ID：200903078857686181
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 哲也 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-205346
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036585
出願日： 1998年07月21日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】【課題】透明なサファイア基板にシリコン単結晶を形成して、このシリコン薄膜にLSIを形成するSOSプロセスにおいて、基板の裏面に形成された光透過防止膜により基板に反りが生じないようにする。【解決手段】サファイア基板1の表面にシリコン薄膜を形成し、その表面を酸化することにより、シリコン薄膜2上にシリコン酸化膜3を形成する。次に、サファイア基板1の裏面に厚さ1000Åのシリコン膜4を形成する。次に、シリコン膜4にシリコン5をイオン注入することにより、シリコン膜4の全体をアモルファス化する。これにより、シリコン膜4は膜全体がアモルファス化された光透過防止膜41となる。次に、シリコン酸化膜3を除去してシリコン薄膜2の表面を露出させる。この状態でシリコン薄膜2に対する半導体装置の形成を行う。
請求項（抜粋）：
透明な絶縁性基板の表面に半導体薄膜を形成し、この半導体薄膜に半導体装置を形成する半導体装置の製造方法において、半導体装置を形成する前の絶縁性基板の裏面に、膜全体がアモルファス化されたシリコン膜を光透過防止膜として形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/12
, H01L 21/265
, H01L 29/786
H01L 27/12 S
, H01L 21/265 Q
, H01L 29/78 615
