特許

J-GLOBAL ID：200903078858332987

リッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法

発明者： 山内 義則 ,  堀川 英明 ,  後藤 修 ,  八重樫 浩樹
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-175300
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027656
出願日： 1995年07月12日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【目的】 閾電流値が低く、発光効率が高いリッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法を提供する。【構成】 n-InP基板11上にSiO2 マスク12を形成し、エッチングを行いメサストライプ11Aを形成する。そのメサストライプ11Aの両側に、高抵抗層13を埋め込み成長により、素子を平坦にする。次に、SiO2 マスク12を除去した後、n-InPクラッド層14と、活性層15と、p-InPクラッド層16と、p-InGaAsPコンタクト層17を順次成長させる。次に、SiO2 ストライプマスクを形成し、エッチングによりリッジ18を形成する。次に、SiO2 絶縁膜19を全面に形成後、リッジ18の上部にのみ窓19Aを形成し、p側電極20を形成する。n-InP基板11側にはn側電極21を形成する。このようにして、リッジウェイブガイド半導体レーザの活性層15の下に高抵抗電流ブロック層を導入する。

請求項（抜粋）：

リッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法において、(a)第1導電型InP基板上にマスクを形成し、エッチングを行いメサストライプを形成する工程と、(b)該メサストライプの両側に高抵抗層を埋め込み平坦にする工程と、(c)第1導電型InPクラッド層と、活性層と、第2導電型InPクラッド層と、第2導電型InGaAsPコンタクト層を順次成長させる工程と、(d)ストライプマスクを形成し、エッチングによりリッジを形成する工程と、(e)絶縁膜を全面に形成後、前記リッジの上部にのみ窓を形成し電極を形成する工程とを施すことを特徴とするリッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 B