特許

J-GLOBAL ID：200903078858781790

半導体ウエーハ

発明者： 内藤 伸二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-085808
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302484
出願日： 1993年04月13日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】【目的】 半導体デバイスの製造プロセスにおいて、発塵量の少ない半導体ウエーハを提供する。【構成】 半導体ウエーハ1の主面1Aと対向するその裏面1Bの粗さ精度tを最大高さ1.0μm乃至4.0μmに設定する。

請求項（抜粋）：

半導体ウエーハの主面と対向するその裏面の粗さ精度を最大高さ1.0μm乃至4.0μmに設定したことを特徴とする半導体ウエーハ。