半導体デバイス用銅エッチング方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-510161
公開番号（公開出願番号）：特表2003-526191
出願日： 1998年08月13日
公開日（公表日）： 2003年09月02日
要約：

【要約】許容されるエッチレイトで、隣接する材料に対する選択率をもって、所望の表面形状のディメンジョンと完全性を与えるような方法で、銅をパターンエッチングする。表面形状の完全性を与えるため、予め所望のディメンジョン及び形状にエッチングされている銅表面形状表面の一部は、隣接する表面形状表面のエッチングの間、保護されている必要がある。これは、表面形状サイズが約0.5μm未満の場合に特に重要であり、この場合、存在する腐食剤がほんの少量であったとしても、表面形状の大部分がエッチングにより取り去られてしまうことがあるからである。銅表面形状の完全性は、いくつかの別種のメカニズム二より保護される。1)反応性エッチャント種は、表面形状プロファイルやエッチング表面に対する制御が失われずに、許容されるエッチレイトが実現されるよう、イオン衝突のない、中程度の攻撃性に設定される。2)水素をエッチング表面に与え、これがエッチング表面に吸収され、この表面でこれが、反応性種及び反応性種のケミカルモジュレータにより交差されるべき境界として機能するようになる。そして3)プロセス変数を調節して、エッチング反応の副生成物が揮発性となりやすくするようにし、また、エッチング表面から容易に取り除けるようにする。誘導結合プラズマエッチングチャンバに対しては、塩素がCl2ガス以外の化合物から解離した場合、好ましい反応性種が生成する事を見出した。

請求項（抜粋）：

銅膜の表面をエッチングして半導体表面形状を与える方法であって、前記エッチングがプラズマを用いて実行され、前記方法は、 a)ハロゲン含有プラズマソースガスをプラズマエッチングチャンバへ供給するステップであって、前記プラズマソースガスの成分は、前記プラズマソースガスから生成するハロゲン含有エッチャント種の物理的及び化学的なモジュレーションないし変質を与えるに十分な解離水素を与える、前記ステップと、 b)前記銅膜をエッチングして、外部及び内部の完全性を有する銅の表面形状を与えるステップであって、前記銅表面形状の腐食は低減され又は防止される、前記ステップとを有する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/3213

FI (3件)：

C23F 4/00 , H01L 21/302 F , H01L 21/88 D

Fターム (59件)：

4K057DA11 , 4K057DA12 , 4K057DA13 , 4K057DB04 , 4K057DD05 , 4K057DE01 , 4K057DE02 , 4K057DE04 , 4K057DE11 , 4K057DE14 , 4K057DG08 , 4K057DG12 , 4K057DG13 , 4K057DM28 , 4K057DM39 , 4K057DN01 , 5F004AA05 , 5F004AA16 , 5F004BA20 , 5F004BB26 , 5F004CA02 , 5F004DA00 , 5F004DA11 , 5F004DA16 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DA29 , 5F004DB08 , 5F004EB02 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ12 , 5F033QQ13 , 5F033QQ15 , 5F033QQ16 , 5F033QQ28 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033SS08 , 5F033SS25 , 5F033WW00 , 5F033WW01 , 5F033WW04 , 5F033WW05 , 5F033WW10 , 5F033XX04 , 5F033XX18 , 5F033XX21

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