特許

J-GLOBAL ID：200903078865763454

オーミック電極、n型電極、窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 筆田 麻祐子 ,  幡 俊雄
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-334897
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142732
出願日： 2001年10月31日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】 低い接触抵抗値を有し、半導体層からの剥がれが生じにくいオーミック電極とn型電極と窒化物系化合物半導体発光素子とその製造方法を提供する。【解決手段】 n型窒化物系化合物半導体層表面上に形成され、n型窒化物系化合物半導体層に接する側がHfとAlとが混ざり合った層からなり、n型窒化物系化合物半導体層表面から上方の厚さ10nm以内の領域における層中のHf濃度が0.001%以上50%以下であり、かつAl濃度が50%以上99.999%以下であるオーミック電極である。ここで、上記のオーミック電極と、そのオーミック電極上に形成されたパッド電極とを含むn型電極であることが好ましく、上記のオーミック電極を含んでいる窒化物系化合物半導体発光素子であることが好ましい。

請求項（抜粋）：

n型窒化物系化合物半導体層表面上に形成され、n型窒化物系化合物半導体層に接する側がHfとAlとが混ざり合った層からなり、n型窒化物系化合物半導体層表面から上方の厚さ10nm以内の領域における層中のHf濃度が0.001%以上50%以下であり、かつAl濃度が50%以上99.999%以下であることを特徴とするオーミック電極。

IPC (5件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01S 5/042 612 ,  H01S 5/343 610

FI (6件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/28 301 H ,  H01L 21/28 301 R ,  H01S 5/042 612 ,  H01S 5/343 610

Fターム (28件)：

4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD52 ,  4M104DD64 ,  4M104DD66 ,  4M104DD79 ,  4M104DD83 ,  4M104FF13 ,  4M104GG02 ,  4M104GG04 ,  5F041AA24 ,  5F041AA25 ,  5F041AA41 ,  5F041CA40 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041DA07 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB22 ,  5F073CB23