特許
J-GLOBAL ID:200903078869474589
ワードラインの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
川崎 隆夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-011965
公開番号(公開出願番号):特開平10-107034
出願日: 1997年01月07日
公開日(公表日): 1998年04月24日
要約:
【要約】【課題】 ワードラインのパターン化を容易に行えるワードラインの製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に多数の列のゲートを形成する。金属珪化物層をゲートの上方に形成した後、シリコン富有層を形成する。シリコン富有層は高シリコン濃度を持つ他の金属珪化物層かまたは純粋なシリコン層である。
請求項(抜粋):
ワードラインの製造方法において、基板を用意し、基板上にゲートを形成し、ゲート上に第1金属珪化物層を形成し、第1金属珪化物層より高い濃度のシリコンを持つ第2金属珪化物層を第1金属珪化物層上に形成する、ことを特徴とする製造方法。
IPC (6件):
H01L 21/3205
, H01L 21/285 301
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 29/78
, H01L 21/336
FI (5件):
H01L 21/88 P
, H01L 21/285 301 T
, H01L 27/10 671 A
, H01L 29/78 301 P
, H01L 29/78 301 G
引用特許:
審査官引用 (7件)
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特開平4-061169
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特開昭64-039064
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特開昭64-039773
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