特許

J-GLOBAL ID：200903078874305493

フェースダウンで支持体に固定する方法

発明者： 村山 隆史
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-187648
公開番号（公開出願番号）：特開2003-092431
出願日： 2002年06月27日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
要約：

【要約】【課題】 流れ出た半田による電極間のショートを防ぐ。【解決手段】 同一面側に正負一対の電極が設けられてなる半導体チップを、半導体チップの電極面を下側にして、支持体の導体層に直接面接続して支持体に固定して放熱性を向上させる方法において、支持体の半導体チップ電極との対向面に傾斜面を設け、該傾斜面の最頂部が半導体チップの正負両電極の間に位置するように、半導体チップの正負両電極を傾斜面に形成される電極と半田付けして支持体に固定し、融解した半田が半導体チップの外側へ流れ出る結果、正負両電極間に流れ出すことがないようにする。

請求項（抜粋）：

同一面側に正負一対の電極が設けられてなる半導体チップをフェースダウンで支持体に固定する方法において、前記支持体の前記電極との対向面に傾斜面を設け、該傾斜面の最頂部が前記電極の間に位置するように、前記電極を前記傾斜面に形成される電極と半田付けすることを特徴とするフェースダウンで支持体に固定する方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/022

FI (2件)：

H01L 33/00 N ,  H01S 5/022

Fターム (17件)：

5F041AA25 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA83 ,  5F041DA03 ,  5F041DA04 ,  5F041DA12 ,  5F041DA19 ,  5F041DA35 ,  5F041DA39 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB22 ,  5F073EA29 ,  5F073FA15 ,  5F073FA16 ,  5F073FA22